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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U72CP8-Y5 2GB
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
Comparez
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U72CP8-Y5 2GB vs Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
Note globale
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U72CP8-Y5 2GB
Note globale
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U72CP8-Y5 2GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
49
68
Autour de 28% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
Signaler un bogue
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,636.8
2,120.4
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
6400
5300
Autour de 1.21 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U72CP8-Y5 2GB
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR2
Latence dans PassMark, ns
49
68
Vitesse de lecture, GB/s
4,879.6
4,540.8
Vitesse d'écriture, GB/s
2,120.4
2,636.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
5300
6400
Other
Description
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 667 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
840
827
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U72CP8-Y5 2GB Comparaison des RAM
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB Comparaison des RAM
SK Hynix HYMP125U72CP8-Y5 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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