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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U72CP8-Y5 2GB
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U72CP8-Y5 2GB vs Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U72CP8-Y5 2GB
Puntuación global
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U72CP8-Y5 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
49
68
En 28% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
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Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,636.8
2,120.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
6400
5300
En 1.21 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U72CP8-Y5 2GB
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR2
Latencia en PassMark, ns
49
68
Velocidad de lectura, GB/s
4,879.6
4,540.8
Velocidad de escritura, GB/s
2,120.4
2,636.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
6400
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
840
827
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U72CP8-Y5 2GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HYMP125U72CP8-Y5 2GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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