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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U72CP8-Y5 2GB
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U72CP8-Y5 2GB vs Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
総合得点
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U72CP8-Y5 2GB
総合得点
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
相違点
仕様
コメント
相違点
考慮すべき理由
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U72CP8-Y5 2GB
バグを報告する
PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
49
68
周辺 28% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
4
4
テスト平均値
考慮すべき理由
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
バグを報告する
書き込み速度の高速化、GB/s
2,636.8
2,120.4
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
6400
5300
周辺 1.21 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U72CP8-Y5 2GB
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR2
DDR2
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
49
68
読み出し速度、GB/s
4,879.6
4,540.8
書き込み速度、GB/秒
2,120.4
2,636.8
メモリ帯域幅、mbps
5300
6400
Other
商品説明
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
タイミング / クロック速度
5-5-5-15 / 667 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
840
827
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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0 ns
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