Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U72CP8-Y5 2GB
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U72CP8-Y5 2GB vs Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB

总分
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U72CP8-Y5 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U72CP8-Y5 2GB

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Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB

Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB

差异

  • 低于PassMark测试中的延时,ns
    49 left arrow 68
    左右 28% 更低的延时
  • 更快的读取速度,GB/s
    4 left arrow 4
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度,GB/s
    2,636.8 left arrow 2,120.4
    测试中的平均数值
  • 更高的内存带宽,mbps
    6400 left arrow 5300
    左右 1.21 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U72CP8-Y5 2GB
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR2
  • PassMark中的延时,ns
    49 left arrow 68
  • 读取速度,GB/s
    4,879.6 left arrow 4,540.8
  • 写入速度,GB/s
    2,120.4 left arrow 2,636.8
  • 内存带宽,mbps
    5300 left arrow 6400
Other
  • 描述
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
  • 时序/时钟速度
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 5-5-5-15 / 800 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    840 left arrow 827
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