RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U72CP8-Y5 2GB
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U72CP8-Y5 2GB vs Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U72CP8-Y5 2GB
Gesamtnote
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U72CP8-Y5 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
49
68
Rund um 28% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,636.8
2,120.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
6400
5300
Rund um 1.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U72CP8-Y5 2GB
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR2
Latenzzeit in PassMark, ns
49
68
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,879.6
4,540.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,120.4
2,636.8
Speicherbandbreite, mbps
5300
6400
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
840
827
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U72CP8-Y5 2GB RAM-Vergleiche
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HYMP125U72CP8-Y5 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FP 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9905700-012.A00G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK16GX4M2C3000C16 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
INTENSO 5641162 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXW 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Kingston KHX2133C13D4/8GX 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-16GVR 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link