RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U72CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U72CP8-Y5 2GB против G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U72CP8-Y5 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U72CP8-Y5 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
18.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,120.4
14.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
49
Около -123% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
5300
Около 3.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U72CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
22
Скорость чтения, Гб/сек
4,879.6
18.5
Скорость записи, Гб/сек
2,120.4
14.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
5300
17000
Other
Описание
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
840
3392
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U72CP8-Y5 2GB Сравнения RAM
Nanya Technology NT1GT64U88D0BY-AD 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U72CP8
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
SK Hynix GKE800UD102408-2133 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston KHX2933C17D4/16G 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FD1 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Corsair CMT32GX4M2Z3200C16 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link