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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U72CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U72CP8-Y5 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Pontuação geral
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U72CP8-Y5 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U72CP8-Y5 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
18.5
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,120.4
14.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
22
49
Por volta de -123% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
5300
Por volta de 3.21 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U72CP8-Y5 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXFB 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
49
22
Velocidade de leitura, GB/s
4,879.6
18.5
Velocidade de escrita, GB/s
2,120.4
14.2
Largura de banda de memória, mbps
5300
17000
Other
Descrição
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
840
3392
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125U72CP8-Y5 2GB Comparações de RAM
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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