RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
es
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB

Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB vs Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB

Puntuación global
star star star star star
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB

Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB

Puntuación global
star star star star star
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB

Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB

Diferencias Especificaciones Comentarios

Diferencias

Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB Razones a tener en cuenta
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Informar de un error
  • Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
    47 left arrow 58
    En 19% menor latencia
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB Razones a tener en cuenta
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Informar de un error
  • Mayor velocidad de lectura, GB/s
    18.5 left arrow 11.8
    Valor medio en las pruebas
  • Mayor velocidad de escritura, GB/s
    9.5 left arrow 9.2
    Valor medio en las pruebas

Especificaciones

Lista completa de especificaciones técnicas
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Principales características
  • Tipo de memoria
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latencia en PassMark, ns
    47 left arrow 58
  • Velocidad de lectura, GB/s
    11.8 left arrow 18.5
  • Velocidad de escritura, GB/s
    9.2 left arrow 9.5
  • Ancho de banda de la memoria, mbps
    19200 left arrow 19200
Other
  • Descripción
    PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Tiempos / Velocidad del reloj
    15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
    2323 left arrow 1998

Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB Comparaciones de la memoria RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB Comparaciones de la memoria RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Últimas comparaciones

Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Memoria RAM
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
Memoria RAM
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Kingston KHX2666C15S4/16G 16GB
Kingston KHX2666C15S4/16G 16GB
Memoria RAM
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Memoria RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
Memoria RAM
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BPXS 8GB
Memoria RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKK 8GB
Memoria RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston KHX2400C15D4/8G 8GB
Kingston KHX2400C15D4/8G 8GB
Memoria RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Memoria RAM
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
Memoria RAM
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Memoria RAM
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZDCB 16GB
Memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
Memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
Memoria RAM