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Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Confronto
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB vs Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Punteggio complessivo
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Punteggio complessivo
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
47
58
Intorno 19% latenza inferiore
Motivi da considerare
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.5
11.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.5
9.2
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
47
58
Velocità di lettura, GB/s
11.8
18.5
Velocità di scrittura, GB/s
9.2
9.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
19200
19200
Other
Descrizione
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2323
1998
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
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