RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Compara
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Puntuación global
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Puntuación global
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
29
En 10% menor latencia
Razones a tener en cuenta
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.5
12.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.8
9.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
29
Velocidad de lectura, GB/s
12.6
17.5
Velocidad de escritura, GB/s
9.5
12.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2174
3086
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Apacer Technology 78.B1GN3.4032B 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTRG 8GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
A-DATA Technology AM2P24HC4R1-BUPS 4GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZA 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingston 9905625-097.A00G 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FJ 16GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
Informar de un error
×
Bug description
Source link