RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Porównaj
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Wynik ogólny
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wynik ogólny
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
29
Wokół strony 10% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.5
12.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
29
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2174
3086
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
A Force Manufacturing Ltd. UD-01G64V2133P 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CTD 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Corsair CMK32GX4M2B3333C16 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMT64GX4M8X3600C18 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CM4X16GE2400C14K4 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link