RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Porównaj
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB vs Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
20
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,061.2
16.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
46
Wokół strony -142% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
19
Prędkość odczytu, GB/s
4,937.3
20.0
Prędkość zapisu, GB/s
2,061.2
16.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
759
3542
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB Porównanie pamięci RAM
takeMS International AG TMS2GS264D082665EQ 2GB
Qimonda 64T64000EU3SB2 512MB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Samsung M471A1G43EB1-CRC 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZRX 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
V-GEN D4H8GL32A8TS 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
SK Hynix HMA81GU7AFR8N-UH 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Kingston 9965525-153.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M378A5244BB0-CRC 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMR64GX4M4K3600C18 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link