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ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Compara
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs AMD R748G2606U2S 8GB
Puntuación global
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Puntuación global
AMD R748G2606U2S 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
61
En 57% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.5
8.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
AMD R748G2606U2S 8GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
15
12.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
61
Velocidad de lectura, GB/s
12.6
15.0
Velocidad de escritura, GB/s
9.5
8.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2174
2028
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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AMD R748G2606U2S 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
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Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
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