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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Compara
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB vs AMD R748G2606U2S 8GB
Puntuación global
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Puntuación global
AMD R748G2606U2S 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
61
En 56% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.7
15
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.8
8.9
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
19200
En 1.11% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
AMD R748G2606U2S 8GB
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Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
61
Velocidad de lectura, GB/s
16.7
15.0
Velocidad de escritura, GB/s
11.8
8.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
21300
19200
Other
Descripción
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2756
2028
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB Comparaciones de la memoria RAM
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
A-DATA Technology DDR4 3200 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
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