RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Compara
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Puntuación global
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Puntuación global
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
63
86
En 27% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
14.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
8.1
1,447.3
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
5300
En 4.02 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
63
86
Velocidad de lectura, GB/s
3,231.0
14.3
Velocidad de escritura, GB/s
1,447.3
8.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
21300
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
478
1658
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology CB16GS2666.C8ET 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Corsair CMD32GX4M2A2800C16 16GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
JUHOR JHD2666U1916JG 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRS 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link