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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB vs SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
Puntuación global
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
15.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
36
65
En -81% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.3
1,592.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
5300
En 3.62 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8-Y5 2GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
65
36
Velocidad de lectura, GB/s
3,580.8
15.3
Velocidad de escritura, GB/s
1,592.0
10.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
19200
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
572
2749
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3400 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRKB 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
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