RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CM4B16G7L2666A16K2-O 16GB
Compara
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Corsair CM4B16G7L2666A16K2-O 16GB
Puntuación global
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Puntuación global
Corsair CM4B16G7L2666A16K2-O 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
28
En 7% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Corsair CM4B16G7L2666A16K2-O 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.7
12.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.5
9.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CM4B16G7L2666A16K2-O 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
28
Velocidad de lectura, GB/s
12.6
17.7
Velocidad de escritura, GB/s
9.5
14.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2174
3410
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Corsair CM4B16G7L2666A16K2-O 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZR 32GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7AFR8N
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CM4B16G7L2666A16K2-O 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.M8FE1 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
SK Hynix MMA82GS6CJR8N-VK 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PVS24G8500ELK 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3000 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Apacer Technology GD2.0918CT.001 4GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link