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ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
Compara
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
Puntuación global
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Puntuación global
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
29
En 10% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.7
12.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.6
9.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
29
Velocidad de lectura, GB/s
12.6
17.7
Velocidad de escritura, GB/s
9.5
13.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2174
3483
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Super Talent F3200UA8G 8GB
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