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ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
Compara
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
Puntuación global
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Puntuación global
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
31
En 16% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.9
12.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.2
9.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
31
Velocidad de lectura, GB/s
12.6
17.9
Velocidad de escritura, GB/s
9.5
15.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2174
3755
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3200C16 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CM4B16G1J2400A16K2-O 16GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4083016A 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Corsair CMT32GX4M2Z3600C18 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M378A5143EB1-CPB 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
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