RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Compara
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Puntuación global
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Puntuación global
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
77
En 66% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
12.6
11.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.5
6.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
77
Velocidad de lectura, GB/s
12.6
11.9
Velocidad de escritura, GB/s
9.5
6.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2174
1517
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Elpida EBE10UE8AFSA-8G-F 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Kingston ACR26D4U9S8HJ-8 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GVK 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Apacer Technology 78.CAGPL.ARC0B 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CMU32GX4M4C3466C16 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Kingston 9965690-002.A00G 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link