RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Compara
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Puntuación global
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Puntuación global
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
77
En 66% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
12.6
11.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.5
6.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Informar de un error
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
77
Velocidad de lectura, GB/s
12.6
11.9
Velocidad de escritura, GB/s
9.5
6.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2174
1517
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FADP 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMR64GX4M8C3000C15 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M16FRS 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
AMD R748G2400S2S 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology BLE16G4D32AEEA.K16FB 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GRKD 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link