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ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
比较
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
总分
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
总分
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
77
左右 66% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
12.6
11.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.5
6.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
77
读取速度,GB/s
12.6
11.9
写入速度,GB/s
9.5
6.9
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2174
1517
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB RAM的比较
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
Kingston 99U5403-124.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
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Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
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