RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Compara
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Puntuación global
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Puntuación global
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
35
En 26% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
14.5
12.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.6
9.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
35
Velocidad de lectura, GB/s
12.6
14.5
Velocidad de escritura, GB/s
9.5
10.6
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2174
2664
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19H 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3300C16 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CM4X4GF2666C16K4 4GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTRG 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FJ 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Apacer Technology GD2.1129WH.001 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 9965596-002.B00G 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link