RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Confronto
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Punteggio complessivo
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
35
Intorno 26% latenza inferiore
Motivi da considerare
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.5
12.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.6
9.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
26
35
Velocità di lettura, GB/s
12.6
14.5
Velocità di scrittura, GB/s
9.5
10.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2174
2664
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Panram International Corporation M424051 4GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMUA5180ME78HBF-2666 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-4800C18-8GTRG 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 9905663-021.A00G 16GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link