RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
Compara
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
Puntuación global
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
27
En 4% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.5
12.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.1
9.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
27
Velocidad de lectura, GB/s
12.6
15.5
Velocidad de escritura, GB/s
9.5
12.1
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2174
2628
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESE.M16FE 16GB
Kingston KHX3600C17D4/16GX 16GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Apacer Technology 78.B1GM3.C7W0B 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
G Skill Intl F5-6000J3636F16G 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link