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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Compara
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Puntuación global
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Puntuación global
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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Razones a tener en cuenta
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.2
12.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.4
9.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
10600
En 1.6 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
26
Velocidad de lectura, GB/s
12.8
13.2
Velocidad de escritura, GB/s
9.0
14.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
17000
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2143
3068
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
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Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Corsair CMD16GX4M4A2666C15 4GB
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