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Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Comparar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB vs Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Pontuação geral
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Pontuação geral
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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Razões a considerar
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.2
12.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.4
9.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
26
26
Velocidade de leitura, GB/s
12.8
13.2
Velocidade de escrita, GB/s
9.0
14.4
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2143
3068
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB Comparações de RAM
Micron Technology 9JSF25672AZ-1G6M1 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C16-8GTZRC 8GB
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Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
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Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBR2 8GB
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Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
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