RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
Compara
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
Puntuación global
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
28
En 7% menor latencia
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
19.2
12.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.4
9.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
28
Velocidad de lectura, GB/s
12.6
19.2
Velocidad de escritura, GB/s
9.5
15.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2174
3609
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMD32GX4M4C3466C16W 8GB
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBD2 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology BLM16G40C18U4B.M8FB1 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Crucial Technology CT51264BA160B.C16F 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link