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ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Compara
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Puntuación global
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
37
En 30% menor latencia
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.5
12.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
15.0
9.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
37
Velocidad de lectura, GB/s
12.6
17.5
Velocidad de escritura, GB/s
9.5
15.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2174
3529
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Essencore Limited KD48GU881-26N190D 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
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