RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Porównaj
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Wynik ogólny
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
37
Wokół strony 30% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.5
12.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.0
9.5
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
37
Prędkość odczytu, GB/s
12.6
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
9.5
15.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2174
3529
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
G Skill Intl F4-4133C17-8GTZR 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMD16GX4M2B2800C14 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZB 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MJ-32AA 16GB
Ramaxel Technology RMT1970ED48E8F1066 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Ramaxel Technology RMSA3310ME96HAF-3200 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FR 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBD2 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link