RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Compara
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Puntuación global
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Puntuación global
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
31
En 16% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.4
12.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
10.5
9.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
31
Velocidad de lectura, GB/s
12.6
16.4
Velocidad de escritura, GB/s
9.5
10.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2174
3039
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3D1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9965589-024.D01G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston KC5N22-MIE 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Apacer Technology 78.CAGMR.40C0B 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK256GX4M8A2400C16 32GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Apacer Technology 78.C2GFP.C700B 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link