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ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
Compara
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
Puntuación global
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Puntuación global
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
29
En 10% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.5
12.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.8
9.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
29
Velocidad de lectura, GB/s
12.6
17.5
Velocidad de escritura, GB/s
9.5
11.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2174
3392
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZR 8GB
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