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ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Compara
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Puntuación global
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Puntuación global
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
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Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.5
8.9
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
26
En -13% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.6
12.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160UD102408-2666 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
23
Velocidad de lectura, GB/s
12.6
16.6
Velocidad de escritura, GB/s
9.5
8.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2174
2631
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Corsair CM4X16GC3200C16K2E 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE320UD204808-2666 32GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
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