Comparación de la memoria RAM ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB

ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB

Puntuación global

ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB

Puntuación global

Diferencias Especificaciones Comentarios

Razones a tener en cuenta
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB

Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns

26 27

En 4% menor latencia

Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB

Mayor velocidad de lectura, GB/s

15.3 12.6

Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s

11.2 9.5

Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps

21300 12800

En 1.66 mayor ancho de banda

Lista completa de especificaciones técnicas

ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N-VK 8GB

Principales características

Other

Descripción

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj

9-9-9-24 / 1600 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)

2174 2545

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns