RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Compara
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Puntuación global
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Puntuación global
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
35
En 26% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.5
12.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.9
9.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
12800
En 1.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
35
Velocidad de lectura, GB/s
12.6
15.5
Velocidad de escritura, GB/s
9.5
11.9
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
21300
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2174
2903
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston KHX3333C16D4/16GX 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Mushkin 991586 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Kingston KHX2400C15D4/16GX 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-16GVR 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
Samsung M3 78T5663EH3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston KHX3333C16D4/8GX 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link