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Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Compara
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Puntuación global
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
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Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
17000
En 1.13% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
23
25
En -9% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
20.6
13.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
16.2
12.1
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR5
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
23
Velocidad de lectura, GB/s
13.4
20.6
Velocidad de escritura, GB/s
12.1
16.2
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
17000
Other
Descripción
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
no data / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3419
3819
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB Comparaciones de la memoria RAM
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Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-4G 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
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