RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Сравнить
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB против G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
25
Около -9% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.6
13.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.2
12.1
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR5
DDR4
Задержка в PassMark, нс
25
23
Скорость чтения, Гб/сек
13.4
20.6
Скорость записи, Гб/сек
12.1
16.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
no data / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3419
3819
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB Сравнения RAM
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Apacer Technology D22.23263S.002 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix GKE160UD102408-2133 16GB
Mushkin 996902 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Avant Technology W6451U67J7240NB 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-XN 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Apacer Technology D12.2326WH.001 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMGD416E82-4400G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link