RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
24
Около -4% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.6
16
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.2
12.5
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
23
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
20.6
Скорость записи, Гб/сек
12.5
16.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3819
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
PNY Electronics PNY 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17/16G 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
A-DATA Technology DOVE1A0834E 1GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
Kingston KF560C40-16 16GB
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Corsair CMW64GX4M4Z2933C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link