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ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston KHX2133C14S4/8G 8GB
Compara
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Kingston KHX2133C14S4/8G 8GB
Puntuación global
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Puntuación global
Kingston KHX2133C14S4/8G 8GB
Diferencias
Especificaciones
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Diferencias
Razones a tener en cuenta
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
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Razones a tener en cuenta
Kingston KHX2133C14S4/8G 8GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.1
12.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.8
9.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston KHX2133C14S4/8G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
26
Velocidad de lectura, GB/s
12.6
16.1
Velocidad de escritura, GB/s
9.5
11.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2174
2739
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kingston KHX2133C14S4/8G 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
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Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
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