RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Compara
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB vs SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Puntuación global
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Puntuación global
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
49
86
En 43% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
13.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
6.3
2,066.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
6400
En 3 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
49
86
Velocidad de lectura, GB/s
4,577.1
13.5
Velocidad de escritura, GB/s
2,066.5
6.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
19200
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
737
1469
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Kingston KHX2666C13/8GX 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48HD1-29Y 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
Mushkin 991586 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FE 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link