RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Сравнить
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB против SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
-->
Средняя оценка
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Средняя оценка
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
49
86
Около 43% меньшая задержка
Выше скорость чтения
4
13.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
6.3
2,066.5
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
86
Скорость чтения, Гб/сек
4,577.1
13.5
Скорость записи, Гб/сек
2,066.5
6.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
737
1469
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB Сравнения RAM
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Kingston TCM633-QAC 1GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB Сравнения RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston 9965640-008.A01G 32GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SK Hynix HMA425S6AFR6N-UH 2GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFXR 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2133-F 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3600C18 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link