RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Compara
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Puntuación global
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Puntuación global
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
31
En 16% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.3
12.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.0
9.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
31
Velocidad de lectura, GB/s
12.6
17.3
Velocidad de escritura, GB/s
9.5
14.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2174
3112
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston KHX2400C14/16G 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
AMD R748G2400U2S 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Kingston 99U5702-025.A00G 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link