RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Compara
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB vs Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Puntuación global
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Puntuación global
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Informar de un error
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
44
En -33% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.1
12.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.0
8.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
12800
En 2 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
44
33
Velocidad de lectura, GB/s
12.6
16.1
Velocidad de escritura, GB/s
8.6
13.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
25600
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2193
2987
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Kingston KHX16 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSEK.8FD 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRG 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AFW0C 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMK16GX4M2E4000C19 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G133381 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110MB78HAF2400 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BLE8G4D36BEEAK.M8FE1 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C
SK Hynix HMT325U6CFR8C-H9 2GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link