RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Сравнить
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB против Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
-->
Средняя оценка
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Средняя оценка
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
44
Около -33% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.1
12.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.0
8.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
12800
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
44
33
Скорость чтения, Гб/сек
12.6
16.1
Скорость записи, Гб/сек
8.6
13.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
25600
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2193
2987
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB Сравнения RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-2G6B1 32GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FH1 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Kingston HP26D4S9S1ME-4 4GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston 9905702-014.A00G 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Jinyu 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMH128GX4M4E3200C16 32GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link