RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Compara
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Puntuación global
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Puntuación global
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
36
En 28% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
15.4
12.6
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
11.5
9.5
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
36
Velocidad de lectura, GB/s
12.6
15.4
Velocidad de escritura, GB/s
9.5
11.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2174
2792
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRG 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905598-025.A00G 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 9965589-031.D01G 2GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Super Talent F24EA8GS 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kingston 9905743-044.A00G 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-16GVK 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link