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Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Compara
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB vs GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Puntuación global
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Puntuación global
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
27
36
En 25% menor latencia
Razones a tener en cuenta
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.4
13.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.8
8.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
10600
En 2.01 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
27
36
Velocidad de lectura, GB/s
13.4
17.4
Velocidad de escritura, GB/s
8.4
12.8
Ancho de banda de la memoria, mbps
10600
21300
Other
Descripción
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2275
3074
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB Comparaciones de la memoria RAM
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Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Corsair CMK16GX4M2Z3600C14 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMD32GX4M2A2666C15 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
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