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Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
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Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB vs GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Pontuação geral
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
Pontuação geral
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
27
36
Por volta de 25% menor latência
Razões a considerar
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17.4
13.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.8
8.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
21300
10600
Por volta de 2.01 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
36
Velocidade de leitura, GB/s
13.4
17.4
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
12.8
Largura de banda de memória, mbps
10600
21300
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2275
3074
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB Comparações de RAM
Samsung M391B5273DH0-CH9 4GB
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GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
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InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMV16GX4M1A2133C15 16GB
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