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ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Compara
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Puntuación global
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Puntuación global
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
26
39
En 33% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
9.5
8.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
13.7
12.6
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
12800
En 1.5 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
26
39
Velocidad de lectura, GB/s
12.6
13.7
Velocidad de escritura, GB/s
9.5
8.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
19200
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2174
2364
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB Comparaciones de la memoria RAM
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
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