RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Puntuación global
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
28
En 14% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.5
12.4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16.7
16
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
24
28
Velocidad de lectura, GB/s
16.0
16.7
Velocidad de escritura, GB/s
12.5
12.4
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
19200
Other
Descripción
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tiempos / Velocidad del reloj
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2925
3244
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston MSI24D4U7D8MH-16 16GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gowe Technology Co. Ltd. GSA16G4SCL196P-26 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMWX16GC3000C16W4D 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FH 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Crucial Technology BL8G36C16U4RL.M8FE1 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link