RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Porównaj
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Wynik ogólny
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
28
Wokół strony 14% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.5
12.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
16
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
24
28
Prędkość odczytu, GB/s
16.0
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
12.5
12.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
19200
19200
Other
Opis
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2925
3244
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M8FB1 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KHX3000C16/16GX 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston ACR24D4U7S8MB-8 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston KHX2400C15S4/16G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
MemxPro Inc. D4S8GHIOFFC 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14C 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMN32GX4M2Z3200C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link