RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Vergleichen Sie
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Gesamtnote
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
28
Rund um 14% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
12.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.7
16
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
24
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.0
16.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
12.4
Speicherbandbreite, mbps
19200
19200
Other
Beschreibung
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2925
3244
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB RAM-Vergleiche
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Transcend Information JM2400HLB-8G 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FD 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUC0B 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHAB 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3866 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Essencore Limited KD48GU880-32N220T 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link